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碳化硅

晶体的生长原理

The Principle of Silicon Carbide Crystal Growth

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走近碳化硅 | 碳化硅晶体的生长原理

SiC的晶体结构

SiC制备方法:物理气相升华法(PVT法)

单一晶型稳定生长的主要机制:台阶流动生长模式(Step Flow Growth)

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