亚搏手机版官方登录网站

agrowastevietnam.com信息

4H 导电型

SiC单晶衬底

4H n-Type

当前位置 > 4H-导电型碳化硅单晶衬底
天岳先进不断追求更高的晶体质量和加工质量
更好的满足客户的需求
目前可批量供应6英寸agrowastevietnam.com
8英寸agrowastevietnam.com正在研发中

*更加详细的agrowastevietnam.com信息欢迎咨询营销团队

>联系亚搏手机版官方登录网站

基本信息

导电型
  • 晶型 4H
  • 直径(mm) 150
  • 偏角(°) 4
  • 厚度(μm) 350
  • 表面状态 Epi-ready

电力电子器件

通过在导电型碳化硅衬底上生长碳化硅外延层,制得碳化硅同质外延片,可进一步制成肖特基二极管、MOSFET、IGBT等功率器件,应用在新能源汽车,轨道交通以及大功率输电变电等领域。
>返回
© 2021 Copyright SICC Co., Ltd. All Rights Reserved.   备案号:鲁ICP备11002960号-1
Top